聯系方式

    聯系人:潘先生

    手機:13869320298

    電話:0533-8179050

    傳真:0533-6588997

    地址:山東省淄博市周村區周隆路6699號

    網站:http://www.obiettivothai.com

你的位置:首頁 > 新聞資訊 > 公司新聞

游離硅對反應燒結硅碳棒高溫強度和斷裂韌性的影響

2022-06-06 09:33:49     點擊:

    研究了體積分數分別為12%和26/O的游離硅對反應燒結硅碳棒高溫強度和斷裂韌性的影響。結果表明,當<1330℃時,硅碳棒的高溫強度和高溫斷裂韌性隨溫度升高而增大,但當溫>1330℃時,游離硅會形成液相并導致材料的高溫力學性能降低。通過維氏壓痕法表征了反應燒結硅碳棒的常溫和高溫力學性能。同樣發現,斷裂韌性隨溫度升高而不斷增大,但在1200℃時高溫斷裂韌性明顯降低。這是因為游離硅在1200℃時發生軟化,無法阻止裂紋擴展。反應燒結硅碳棒具有優良的抗氧化性能,在1300℃時氧化速率隨氧化時間增加逐漸降低。隨氧化時間增加,材料氧化后的常溫抗折強度呈現出先增加后減小的趨勢,因此對反應燒結碳化硅進行微氧化處理可以提高其常溫力學性能。但氧化時間較長時,材料的力學性能會受到損害,這是因為當氧化時間較短時,硅碳棒表面形成的二氧化硅具有愈合裂紋作用并有效阻礙裂紋擴展,因此材料在氧化后強度提高。隨氧化時間進一步增加,硅碳棒表面形成的裂紋逐漸增多,破壞了氧化膜對基體的保護,因此氧化后強度降低向反應燒結硅碳棒中引人某些第三相可以抑制SiOZ氧化膜開裂,提高材料的抗氧化性能。研究了氧化鋁對反應燒結硅碳棒抗氧氣/水蒸氣性能的影響,發現氧化鋁在材料氧化層表面富集并抑制了SiOZ的揮發。隨氧化時間增加,添加氧化鋁后硅碳棒的質量不斷增大,而未添加氧化鋁試樣的質量則先增大后減小。研究認為,氧化鋁的引人減少了非橋接氧原子(Si-O-H)的生成,降低了硅酸鹽熔體和水蒸氣的反應活性,因此綜合提升了材料的抗氧化勝能。制備得到含MoSiZ的反應燒結硅碳棒,研究發現,SiC晶粒和MoSi:晶粒具有良好結合性,含MoSiZ反應燒結硅碳棒材料在1300和1400℃高溫氧化時具有更好的質量保持率。傳統反應燒結硅碳棒材料經1400℃高溫氧化后,由于硅的揮發導致材料的質量損失較嚴重,且表面出現較多氣孔,而MoSiZ相較Si具有更高熔點,因此復合材料在高溫氧化后表面未發現明顯氣孔,材料隨氧化時間增加氧化速率逐漸增大并趨向穩定。www.obiettivothai.com


Copyright 2020 www.obiettivothai.com 淄博群強電熱元件有限公司   版權所有 All Rights Reserved  旭升軟件:13869323925

欧美人与动牲交a欧美高清