這是Si(:為1aa，具備其特點的耐火材料(也有SiGSi系U型硅碳棒，使用溫度達到14a0℃)。組成有SiC為100%的U型硅碳棒，也有含有Si的制04.3制法口即樂加入SiC:為10a%的原料和一些添加物，用一般成型或者冷等靜壓成型、熱等壓加壓型。在中性，還原氣氛中，以200a℃左右的溫度使其自燒結。含有Si的U型硅碳棒、放入Si熔融浴中或Si氣體中進行了處理。用途高價，耐火材料以外的用途多。作為耐火材料，利用高溫高強度性的梁等結構材料，利用壁厚、輕質、耐化學藥品侵蝕性的匣缽、定位器等。另外，在上述(的硅酸鹽結合U型硅碳棒的延長線上，有Si(:含量少于8596.例如SiC.75-36,60%的U型硅碳棒。關于這些U型硅碳棒的用途，特別是用于城市垃圾焚燒爐時，通過混合SiC:.爐渣容易從內壁上剝離，只談及這些，再多就不說了。

    以前，在確立U型硅碳棒時，關于保護層的形成進行了說明。即使是這樣形成保護層的U型硅碳棒，也不能保持永久的壽命，在使用中主要成份的碳化硅被氧化，膨脹，劣化。關于其狀況說明如下。如以前說明的那樣，U型硅碳棒上形成的保護層在不被破壞的情況下，如果是在保溫的條件下使用、可期望得到長期的使用壽命。但是，在實際使用中由于受到各種條件的影響、裂紋進入保護層，發生破壞損傷。其部分的碳化硅沒有保護層、處于氧氣中時，將被氧化。

    關于碳化硅的氧化性狀，可以說有如下二種。其一是形成以前說明的保護層的“保護氧化”，是在U型硅碳棒的制造階段和初期氧化，氧分壓高時發生，形成保護層的氧化。ScCt.a+2qt=s島cm+qcras.q.)+3q(氣)=s.+zcat,其二系為“繼續氧化“，是在氣氛中氧分壓低時發生，即使碳化硅氧化、也不立即生成Si41，而變成以蒸發物遷移的SiO,，在碳化硅表面沒有形成保護層的氧化。5iC1+cc=5irr+CO〔氣:+qW5iq.1++=SiOr+q1根據上述的二種氧化，就氧分壓高時，氧分壓低時，及作為參考，就水蒸汽多時的氧化加以說明。www.obiettivothai.com