A1z03,Fez03;H3B03對硅碳棒密度和抗折強度的影響電阻率測量示意圖圖2，圖3分別為Ale03,Fee03，和H3B03對硅碳棒密度和微觀組織的影響。由圖2可以看出:隨著A1z03添加量的增大，硅碳棒的密度隨之增大。主要是因為A1z0。與SiC形成固溶體活化燒結，由于原料SiC顆粒表面不可避免地存在少量StOz，在燒結過程中，A1z03和SiOz于1700一1800℃形成固溶體，促進了顆粒重排，通過溶解一析出等燒結過程，填充了原顆粒間的空隙，促進了硅碳棒的致密化。由圖3(a)和(d)對比可以清楚看出這一點。加人Fez03的硅碳棒，隨著Fez03含量二。的增加，硅碳棒的密度由2.29x103kg/m3(含量為0.1%)提高到2.31x103kg/m3(含量二為0.5%)。這主要是因為:氧化物本身在高溫時呈現液相而得以在常壓或加壓條件下進行燒結。用這種方法得到的SiC燒結體顯微組織為細小的等軸狀晶粒，2.32x1護2.30x1正2.28x1護2.26x1護2.24x10'2.22x1圖2燒結助劑對硅碳棒密度的影響新生成的第2相分布在三角晶界處。在燒結過程中，生成的液相在冷卻過程中，重新在顆粒間的空隙中結晶，并形成了由Fe203,C和SiC反應生成了新的非化學計量化合物，使得硅碳棒在燒結過程中產生致密化。由圖3(b)(d)對比可清楚看出這一點。加人H3B03的硅碳棒可以看到制品的密度是先增大后減小。這主要是因為開始少量加入H3B03f它可以顯著提高SiC的燒結收縮動力，降低SiC粉體界面能，提高粉體活性，有利于燒結致密化，從而提高硅碳棒的密度。但是過量H3BO，的加人會促使SiC晶粒長大，尤其是對a-SiC中的6H多型體影響最由于本實驗采用原料為a-SiC，所以出現圖中那種情隨著H3B03的加人，硅碳棒的密度是先增大后減小。大況由圖3(c)和(d)對比也可以清楚看出上述分析結果。www.obiettivothai.com