硅鉬棒加熱爐是應用硅化物陶瓷的加熱爐，與其他的熱處理爐相比，有其自身的特點。因此針對硅鉬棒的溫度控制也就多了一些限制和約束。硅鉬棒是以高溫導電陶瓷制品二硅化鋁為電熱元件的熱處理爐。該元件在氧化氣氛下加熱到1200 ℃時，元件表面就會形成致密的保護膜，保護元件不再氧化，在氧化氛圍內最高可達1700 ℃。硅鉬棒加熱爐溫度控制系統具有非線性、大滯后、大慣性、時變性、升溫單向性等特點。

    通過查閱資料可以看出，針對硅鉬棒加熱爐控制系統的研究不多。文獻提出了一種經驗規則控制和PD控制相結合的控制器，由硅鉬棒溫度偏差大小選擇不同的控制器，偏差小時采用PD控制，偏差較大時采用經驗規則控制。硅鉬棒加熱爐經驗規則控制算法的理論依據是負反饋控制原理和泛布爾代數理論以及手動控制硅鉬棒的經驗以及對材料樣品燒制工藝的要求。但是控制系統模型和控制器參數選取均沒有介紹。文獻提出了一種帶修正函數的模糊控制器，通過引入與偏差大小相關的瞬態輸出值提高對系統參數變化的適應能力。但是從其仿真結果看，控制器不太理想，而且作者的設計僅限于恒溫階段，沒有升溫啟動過程的控制器設計環節。文獻提出了一種電流反饋式程序控制系統，詳細介紹了電流反饋控制技術的原理和控制系統硬件結構，控制器方面的內容則是一筆帶過，但是文獻提出的思路對本文的研究是很有價值的。文獻提出了自適應模糊PID控制的控制算法。仿真研究和試驗測試證明，這種控制算法在保證控制精度的基礎上很好的提高系統的動態性能。美中不足的是這種控制算法在實際應用過程中，會出現硅鉬棒的加熱電流波動較大，達到50安培。這不僅影響系統的加熱時間而且還可能會導致硅鉬棒因大電流沖擊而斷裂，給系統帶來致命的損害。從上可以看出硅鉬棒加熱爐的溫度控制系統還是有很多不盡人意的需要改進的地方。www.obiettivothai.com