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2021-09-29 拋光壓力對硅碳棒晶片拋光效果的影響
小同拋光壓力下硅碳棒晶片的MRR如圖6所示，拋光后表面形貌如圖7所示。根據圖6可知，晶片的MRR隨著拋光壓力的增大而增大。當拋光壓力分別為4 kg,8kg,10 kg時，MRR分別為64 nm/h, 80 nm/h,92 nm/h以及102 nm/h。
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2021-09-27 探索紫外光輔助作用下硅碳棒CMP加工過程
本研究將硅碳棒從化學作用和機械作用相平衡的角度出發，探索紫外光輔助作用下硅碳棒CMP加工過程的最佳加工參數。創新地利用電化學實驗探測小同pH值Hz0:濃度、Fez濃度以及紫外光功率對碳化硅晶片表面氧化層生成速率的影響
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2021-09-25 硅碳棒中應無“黑心”
碳化硅質硅碳棒近代一些煉鉛、煉鋅爐其關鍵部位主要采用鎂鉻質與碳化硅質硅碳棒。本文闡述碳化硅質耐火材料。碳化硅質硅碳棒由于化學穩定性好，具有耐高溫、高溫強度大、導熱率高、抗熱震性好、耐磨、抗沖刷、不被金屬熔體潤濕
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2021-09-22 合成硅碳棒是納米領域研究的熱點
發展綠色、高效、可控的制備方法來合成硅碳棒是納米領域研究的熱點，本文利用改良晶種子生長法制備了硅碳棒(AuNRs)，對其形貌進行了表征該方法具有簡單、綠色等突出優點
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2021-09-18 硅碳棒的粒度由激光粒度分析儀測出
硅碳棒?有許多優異的物理性能、機械性能和化學性能，廣泛地應用于國民經濟建設，國防建設和科研各個部門之中。隨著科學技術進步，硅碳棒的應用范圍越來越廣泛，旋轉陰極X射線管就是國內近幾年發展起來的一種新型X射線管
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2021-09-14 硅碳棒芯部和邊部雜質含量均勻性的橫向比較
數據方差可以描述各個數據偏離平均值的多少，從而說明數據的均勻性。為進行硅碳棒?芯部和邊部雜質含量均勻性的橫向比較，分別計算了樣品COFeK含量的方差和平均值，結果見表t。由表1可見，芯部的雜質含量的平均值高于邊部
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2021-09-10 硅碳棒爐子功率的計算
硅碳棒保溫層的厚度由于爐殼是固定的，則當改變活襯厚度時，硅碳棒保溫層的厚度改變了，如果改變爐膛直徑，又要求爐膛溫度不變時，應取最大爐膛直徑時需要的硅碳棒保溫層為電爐最小硅碳棒保溫層厚度。
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2021-09-04 硅碳棒在不同加載條件和微結構下的變形
硅碳棒作為重要的陶瓷和半導體材料，在國防軍工、航空航天等應用領域和高壓物質科學等方面具有重要的應用研究和科學價值。本又對動加載下硅碳棒的變形、損傷和破壞等物理力學行為和特性研究進行了梳理
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2021-08-31 硅碳棒的顯氣孔率與抗壓強度
壓強度隨著硅碳棒泥料中較小粒度的硅碳棒顆粒含量的增多，粘土質硅碳棒的顯氣孔率與抗壓強度均有較大程度的提高。因此，要制成性能優異的粘左績毓化硅制品，應該在工藝條件允許的情況下，盡量采用較小
高品質硅碳棒生產廠家
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