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2022-02-16 多孔硅碳棒的小孔尺寸和密度
多孔硅碳棒生長研究實驗中，將溫度控制為1100℃HZ流量為100sccmMTS流量保持為20scan生長時間為1小時，當到達生長溫度后，通入MTS和場生長結束后的樣品表面形貌如圖6一所示。從6-2(a)中非常清晰地看到，在較為平整的薄膜表面形成了許多大小不一的小孔。
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2022-02-14 VLS機理生長硅碳棒的表面臺階結構
為了更加清晰地反映出VLS機理生長硅碳棒?的表面臺階結構，我們進一步采用原子力顯微鏡觀察了VLS自組裝工藝生長硅碳棒同質外延薄膜，其結果如圖5-7所示，從表面形貌可見:VLS自組裝工藝生長硅碳棒同質外延薄膜呈現出表面條
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2022-02-12 硅碳棒自組裝生長機制及控制
對于硅碳棒而言，由于熔融狀態下的硅碳棒非常難以得到，使得硅碳棒的質量，始終沒有利用“提拉法”，從液態Si中生長出的單晶Si質量好.而在VLS生長機制中，由于有液相Ni-Si合金的加入，有利于提高硅碳棒薄膜的結晶質量。
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2022-02-08 刻蝕有矩形凹槽的硅碳棒
首先在刻蝕有矩形凹槽的硅碳棒基片上以機械的方式填充Ni粉作為催化劑，硅碳棒基片上矩形凹槽的尺寸為0.1mmX1mm和0.05mmX1mm，深度均為100m但是，由于矩形凹槽的尺寸較大，深度較深，使用電鍍技術己經很難保證在凹槽內填充足夠的催化劑。
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2022-01-28 硅碳棒微米柱電子背散射衍射
在硅碳棒?的生長過程中，由于Si基片與硅碳棒薄膜之間存在8%的熱膨脹系數差異，使得在實驗結束的降溫過程當中，會在生長的硅碳棒薄膜中形成較大的熱應力。
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2022-01-25 硅碳棒微米柱周圍有大量的無定形碳生成
利用EDS分別對兩個微米柱進行分析，如表4-1所示。硅碳棒?分析表明不論是以CH4還是C2H2為碳源生長的薄膜都只含Si, C和Ni三種元素。但表今1的EDS成份分析數據顯示以CZH2作為反應氣體生長出的微米柱C元素原子百分含量很高
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2022-01-22 通過硅碳棒晶須的透射電子選區衍射分析
生長時間對硅碳棒晶須的影響生長時間也是影響硅碳棒晶須生長的重要因素。圖3-15為不同時間生長出的硅碳棒晶須表面形貌圖.實驗中，將H2流量控制為500SiH4和CZHz作為反應氣體，流量分別為2和4 scan;反應室總壓控制為60 Tort，生長溫度Et 11 SO0C.個牛長秦拌與前
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2022-01-20 H2流量對硅碳棒的影響
明即使是在生長結束以后，硅碳棒金屬Ni都沒有完全耗盡，表明在整個生長過程中，始終有足量的催化劑。催化劑的多少，直接決定在Si基片上以VLS生長機制合成的是硅碳棒還是硅碳棒薄膜。其生長示意圖，如圖3-11所示。
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2022-01-16 硅碳棒D和探測器支架E的角位置保持固定關系
在整個測量過程中，硅碳棒D和探測器支架E的角位置保持固定關系，當H轉過e角時，E必須轉過20角，即GJE=0.5，這樣硅碳棒與計數器連動，常記為e2e事實上，連動關系非常重要，它確保了x射線在硅碳棒上的入射角和反射角始終相等。
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