2021-01-22 硅碳棒涂層的形成及其工藝的影響

硅碳棒?涂層的形成原理硅碳棒電熱元件在沒有涂覆防氧化硅碳棒涂層前，元件的氣孔率較高，外界氧不但與表面的硅碳棒反應而且還通過開口氣孔直接進入元件內部與內部的硅碳棒反應。

2021-01-21 硅碳棒涂層的形成機理和組織形貌

本研究主要以莫來石、SiC、剛玉、Si粉等為原料，通過高溫下反應在基體表面形成抗氧化硅碳棒?涂層。其中Si可以與0:反應生成Si0:形成保護層;莫來石、SiC等成分通過高溫燒結在基體表面形成一定厚度的復合硅碳棒涂層。

2021-01-20 采用硅碳管加熱一紅外吸收法分析煤中的硫量

?選擇合適的分析條件，采用硅碳管加熱一紅外吸收法分析煤中的硫量。通過大量的試驗證明該方法操作簡便、快速、分析精度和準確度高，能夠滿足煤物質分析硫量的要求。

2021-01-19 具有優良的抗熱震性能的硅碳棒涂層

當然，SiC基復合材料的高溫抗氧化硅碳棒涂層一般是由多種物質組成的，即便在常溫下涂覆單一物質硅碳棒涂層如A120, MoSi2，在高溫下也會因其與SiC材料表面的Si0:反應或自身氧化反應而生成復相硅碳棒涂層。

2021-01-09 硅碳棒抗氧化涂層的基本要求

材料抗氧化性的關鍵是將易氧化的材料與氧化環境隔離開，硅碳棒抗氧化涂層可以滿足這一最基本的要求。圖1.1顯示了設計和開發材料硅碳棒抗氧化涂層時應注意的各種影響因素。

2021-01-08 提高硅碳棒的使用壽命并擴大其適用的溫度范圍

硅碳棒電加熱元件的應用目標是在高溫環境中，但其主要原料-硅碳棒材料為非氧化物材料，抗氧化性能不足，水蒸氣，堿，硫酸鹽等物質將加速硅碳棒。

2021-01-07 硅碳棒電熱元件優異的抗氧化性

硅碳棒電熱元件優異的抗氧化性緣于氧化中形成的致密Si0:膜的低氧擴散系數和熱膨脹系數對硅碳棒的保護作用，但在加熱和冷卻過程中的相變體積效應易使Si0:膜開裂

2021-01-06 氣化硅碳棒電加熱器部分功率調節柜控制

要停止溫度上升，請按相反的順序執行上述步驟。全部停止后，通知值班電工關閉“氣化硅碳棒電加熱器部分功率調節柜控制”和“氣化硅碳棒電加熱器第二部分接觸器控制”電路的電源。

2021-01-05 硅碳棒電加熱爐裝置在催化劑加熱過程的轉變

電加熱爐裝置不是在催化劑加熱過程的轉變中新安裝的，而是使用功率為480（C4硅碳棒電爐，共120）加熱的閑置電加熱爐設備。

2021-01-04 國產硅碳棒電熱體性能